MPIA4015V2-R56-R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MPIA4015V2-R56-R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MPIA4015V2-R56-R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MPIA4015V2-R56-R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MPIA4015V2-R56-R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MPIA4015V2-R56-R
- ผู้ผลิต:
- Bussmann (Eaton)
- ลักษณะ:
- FIXED IND 560NH 7.5A 14 MOHM SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 26112 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MPIA4015V2-R56-R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | Wirewound |
| ความอดทน: | ±20% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.195" L x 0.165" W (4.95mm x 4.20mm) |
| การป้องกัน: | Shielded |
| ชุด: | MPIA40-V2 |
| ความนิยม: | AEC-Q200 |
| Q @ ความถี่: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 2-SMD, J-Lead |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| วัสดุ - คอร์: | Metal Composite |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่เหนี่ยวนำ - การทดสอบ: | 100kHz |
| การเหนี่ยวนำ: | 560nH |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.059" (1.50mm) |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 84MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 560nH Shielded Wirewound Inductor 7.5A 14 mOhm Max 2-SMD, J-Lead |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 14 mOhm Max |
| พิกัดกระแส: | 7.5A |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | 8.3A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MPIA4015V2-R56-R
ข่าว Latest
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- Samsung: เผชิญกับความท้าทายของทั้งสองพื้นที่สำคัญระดมทุนเพื่อทำลายสถานการณ์
- Foundry Foundry ที่เป็นผู้ใหญ่ลดราคาอีกครั้ง Samsung เป็นอิสระจากหน่วยความจำ Nvidia HBM3E
- ผลิตภัณฑ์ LED ของ Aimus Oslang พร้อมเทคโนโลยีเมทริกซ์ข้อมูลเพื่อช่วยให้ผู้ผลิตอัตโนมัติทำให้กระบวนการผลิตง่ายขึ้น