MKP385414025JC02R0 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MKP385414025JC02R0 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MKP385414025JC02R0 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MKP385414025JC02R0 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MKP385414025JC02R0
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MKP385414025JC02R0
- ผู้ผลิต:
- Angstrohm / Vishay
- ลักษณะ:
- CAP FILM 0.14UF 5% 250VDC RADIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 48627 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - DC: | 160V |
| ความอดทน: | 0.14µF |
| การสิ้นสุด: | PC Pins |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | 0.295" (7.50mm) |
| ขนาด / มิติ: | 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) |
| ชุด: | MKP385 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching; High Pulse, DV/DT |
| โพลาไรซ์: | Radial |
| ชื่ออื่น: | 385414025JC02R0 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 110°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | MKP385414025JC02R0 |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | - |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.512" (13.00mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | 0.14µF ±5% Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±5% |
| เส้นผ่าศูนย์กลางอิเล็กทริก: | Polypropylene (PP), Metallized |
| ลักษณะ: | CAP FILM 0.14UF 5% 250VDC RADIAL |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล: | 250V |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MKP385414025JC02R0
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร