MAL212317688E3 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ MAL212317688E3 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ MAL212317688E3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ MAL212317688E3 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
MAL212317688E3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MAL212317688E3
- ผู้ผลิต:
- Angstrohm / Vishay
- ลักษณะ:
- CAP ALUM 6.8UF 20% 40V AXIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 41067 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MAL212317688E3.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | 6.8µF |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.264" Dia x 0.602" L (6.70mm x 15.30mm) |
| ชุด: | SAL-A 123 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | General Purpose |
| ระลอกปัจจุบัน: | - |
| โพลาไรซ์: | Axial, Can |
| ทางลาด - เชื่อมต่อ: | 40V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | - |
| ชื่ออื่น: | 2281 123 17688 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| จำนวนตัวเก็บประจุ: | 28mA |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | MAL212317688E3 |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | 15 Ohm |
| ความต้านทาน: | 7.5 Ohm |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | - |
| ขยายคำอธิบาย: | 6.8µF 40V Aluminum Capacitors Axial, Can 15 Ohm 20000 Hrs @ 125°C |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±20% |
| ลักษณะ: | CAP ALUM 6.8UF 20% 40V AXIAL |
| การประยุกต์ใช้งาน: | 20000 Hrs @ 125°C |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MAL212317688E3
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น