M55342H06B470JRWS พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ M55342H06B470JRWS เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ M55342H06B470JRWS ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ M55342H06B470JRWS ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
M55342H06B470JRWS
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- M55342H06B470JRWS
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- RES SMD 470 OHM 5% 0.15W 0705
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 50254 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- M55342H06B470JRWS.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | R (0.01%) |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.15W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 0705 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±50ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.080" L x 0.050" W (2.03mm x 1.27mm) |
| ชุด: | Military, MIL-PRF-55342, RM0705 |
| สถานะ RoHS: | Tray - Waffle |
| โพลาไรซ์: | 0805 (2012 Metric) |
| ชื่ออื่น: | M55342H06B470JRWS-MIL |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 24 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | M55342H06B470JRWS |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.033" (0.84mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Military, Non-Inductive |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 470 Ohm ±5% 0.15W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) Military, Non-Inductive Thin Film |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±5% |
| ลักษณะ: | RES SMD 470 OHM 5% 0.15W 0705 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Thin Film |
| แบนด์วิดธ์: | 470 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ M55342H06B470JRWS
ข่าว Latest
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- Samsung: เผชิญกับความท้าทายของทั้งสองพื้นที่สำคัญระดมทุนเพื่อทำลายสถานการณ์
- Foundry Foundry ที่เป็นผู้ใหญ่ลดราคาอีกครั้ง Samsung เป็นอิสระจากหน่วยความจำ Nvidia HBM3E
- ผลิตภัณฑ์ LED ของ Aimus Oslang พร้อมเทคโนโลยีเมทริกซ์ข้อมูลเพื่อช่วยให้ผู้ผลิตอัตโนมัติทำให้กระบวนการผลิตง่ายขึ้น