IMS05EB1R2K พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IMS05EB1R2K เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IMS05EB1R2K ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IMS05EB1R2K ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
IMS05EB1R2K
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IMS05EB1R2K
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- FIXED IND 1.2UH 895MA 100 MOHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 51297 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IMS05EB1R2K.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | Axial |
| การใช้: | Shielded |
| ชนิด: | Molded |
| ขนาด / มิติ: | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
| ชุด: | IMS-5 |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Axial |
| ชื่ออื่น: | 541-1530 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 105°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IMS05EB1R2K |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | - |
| ประเภทอุปกรณ์: | 1.2µH |
| ความถี่ - การทดสอบ: | 130MHz |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 100 mOhm Max |
| ขยายคำอธิบาย: | 1.2µH Shielded Molded Inductor 895mA 100 mOhm Max Axial |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±10% |
| เส้นผ่าศูนย์กลาง - ไหล่: | 44 @ 7.9MHz |
| ลักษณะ: | FIXED IND 1.2UH 895MA 100 MOHM |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 7.9MHz |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | - |
| พิกัดกระแส: | 895mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | Powdered Iron |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IMS05EB1R2K
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU