IKW40N65WR5XKSA1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IKW40N65WR5XKSA1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IKW40N65WR5XKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IKW40N65WR5XKSA1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
IKW40N65WR5XKSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IKW40N65WR5XKSA1
- ลักษณะ:
- IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 20297 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IKW40N65WR5XKSA1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ออฟเซ็ท (VT): | 400V, 20A, 20 Ohm, 15V |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 80A |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | PG-TO247-3 |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | Trench |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 650V |
| ทดสอบสภาพ: | 42ns/432ns |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 193nC |
| การสลับพลังงาน: | 120A |
| ชุด: | TrenchStop™ |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 230W |
| โพลาไรซ์: | TO-247-3 |
| ชื่ออื่น: | SP001174974 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | 112ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IKW40N65WR5XKSA1 |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE: | 1.8V @ 15V, 40A |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 770µJ (on), 160µJ (off) |
| ขยายคำอธิบาย: | IGBT Trench 650V 80A 230W Through Hole PG-TO247-3 |
| ลักษณะ: | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IKW40N65WR5XKSA1
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS