IHLP2020CZER1R0M01 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IHLP2020CZER1R0M01 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IHLP2020CZER1R0M01 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IHLP2020CZER1R0M01 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
IHLP2020CZER1R0M01
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IHLP2020CZER1R0M01
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- FIXED IND 1UH 9.2A 13.7 MOHM SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 54616 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IHLP2020CZER1R0M01.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | - |
| การใช้: | Shielded |
| ชนิด: | Molded |
| ขนาด / มิติ: | 0.216" L x 0.204" W (5.49mm x 5.18mm) |
| ชุด: | IHLP-2020CZ-01 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Nonstandard |
| ชื่ออื่น: | 541-1266-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 19 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IHLP2020CZER1R0M01 |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.118" (3.00mm) |
| ประเภทอุปกรณ์: | 1µH |
| ความถี่ - การทดสอบ: | - |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 13.7 mOhm Max |
| ขยายคำอธิบาย: | 1µH Shielded Molded Inductor 9.2A 13.7 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±20% |
| เส้นผ่าศูนย์กลาง - ไหล่: | - |
| ลักษณะ: | FIXED IND 1UH 9.2A 13.7 MOHM SMD |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 100kHz |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 12A |
| พิกัดกระแส: | 9.2A |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IHLP2020CZER1R0M01
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด