HLC023R0BTTR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ HLC023R0BTTR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ HLC023R0BTTR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HLC023R0BTTR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
HLC023R0BTTR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HLC023R0BTTR
- ผู้ผลิต:
- AVX Corporation
- ลักษณะ:
- FIXED IND 3NH 497MA 300 MOHM SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 56652 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- HLC023R0BTTR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 0402 (1005 Metric) |
| การใช้: | Unshielded |
| ชนิด: | Multilayer |
| ขนาด / มิติ: | 0.040" L x 0.023" W (1.00mm x 0.58mm) |
| ชุด: | MLO™ |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | 0402 (1005 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 478-7200-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | HLC023R0BTTR |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.018" (0.45mm) |
| ประเภทอุปกรณ์: | 3nH |
| ความถี่ - การทดสอบ: | 12GHz |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 300 mOhm Max |
| ขยายคำอธิบาย: | 3nH Unshielded Multilayer Inductor 497mA 300 mOhm Max 0402 (1005 Metric) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±0.1nH |
| เส้นผ่าศูนย์กลาง - ไหล่: | 27 @ 450MHz |
| ลักษณะ: | FIXED IND 3NH 497MA 300 MOHM SMD |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 450MHz |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | - |
| พิกัดกระแส: | 497mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | Non-Magnetic |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HLC023R0BTTR
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU