FT908Q-T พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ FT908Q-T เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ FT908Q-T ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FT908Q-T ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
FT908Q-T
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FT908Q-T
- ลักษณะ:
- IC MCU 32BIT 256KB FLASH 76VQFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 46860 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- FT908Q-T.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | FLASH |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 76-QFN (9x9) |
| ชุด: | FT90x |
| สถานะ RoHS: | Tray |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 100MHz |
| ต้องมี: | POR, PWM, WDT |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | 256KB (256K x 8) |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | CAN, Ethernet, I²C, SPI, UART/USART, USB |
| โพลาไรซ์: | 76-VFQFN Exposed Pad |
| ประเภท oscillator: | A/D 4x10b, D/A 2x10b |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ระบบปฏิบัติการ: | FT32 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | FT908Q-T |
| ขยายคำอธิบาย: | FT32 FT90x Microcontroller IC 32-Bit 100MHz 256KB (256K x 8) FLASH 76-QFN (9x9) |
| ลักษณะ: | IC MCU 32BIT 256KB FLASH 76VQFN |
| ข้อมูล SRAM ไบต์: | - |
| แปลงข้อมูล: | 2.97 V ~ 3.63 V |
| ขนาดหลัก: | 320K x 8 |
| ชุดควบคุม: | Internal |
| การเชื่อมต่อ: | 32-Bit |
| อัตรานาฬิกา: | 42 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FT908Q-T
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS