FJAF6810AYDTBTU พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ FJAF6810AYDTBTU เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ FJAF6810AYDTBTU ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FJAF6810AYDTBTU ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
FJAF6810AYDTBTU
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FJAF6810AYDTBTU
- ผู้ผลิต:
- Fairchild/ON Semiconductor
- ลักษณะ:
- TRANS NPN 750V 10A TO-3PF
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 51404 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- FJAF6810AYDTBTU.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 10A |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | TO-3PF |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 750V |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม): | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 60W |
| โพลาไรซ์: | SC-94 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | FJAF6810AYDTBTU |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 5 @ 6A, 5V |
| ขยายคำอธิบาย: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 750V 10A 60W Through Hole TO-3PF |
| ลักษณะ: | TRANS NPN 750V 10A TO-3PF |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 1mA |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 3V @ 1.5A, 6A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | NPN |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FJAF6810AYDTBTU
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS