F951A336MQAAQ2 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ F951A336MQAAQ2 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ F951A336MQAAQ2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ F951A336MQAAQ2 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
F951A336MQAAQ2
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- F951A336MQAAQ2
- ผู้ผลิต:
- Nichicon
- ลักษณะ:
- CAP TANT 33UF 10V 20% 1206
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 32781 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- F951A336MQAAQ2.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 10V |
| ชนิด: | Conformal Coated |
| ความอดทน: | 33µF |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Q |
| ขนาด / มิติ: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| ชุด: | F95, Frameless™ |
| สถานะ RoHS: | Digi-Reel® |
| โพลาไรซ์: | 1206 (3216 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 493-4261-6 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | F951A336MQAAQ2 |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | 3 Ohm |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.039" (1.00mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | General Purpose |
| ขยายคำอธิบาย: | 33µF ±20% Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 3 Ohm |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±20% |
| ลักษณะ: | CAP TANT 33UF 10V 20% 1206 |
| การประยุกต์ใช้งาน: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ F951A336MQAAQ2
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU