DS3503U+T&R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DS3503U+T&R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DS3503U+T&R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DS3503U+T&R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DS3503U+T&R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DS3503U+T&R
- ผู้ผลิต:
- Maxim Integrated
- ลักษณะ:
- IC POT DGTL NV 128TAP 10-MSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 47142 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DS3503U+T&R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 10-uMAX |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (ชนิด): | 128 |
| มาตรฐาน: | Non-Volatile |
| สไตล์เชลล์: | 2.5 V ~ 3.6 V, 4.5 V ~ 15.5 V |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความต้านทาน - Wiper (Ohms) (Typ): | ±4 ppm/°C |
| โพลาไรซ์: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| ปฐมนิเทศ: | 2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 100°C |
| จำนวนก๊อก: | Linear |
| จำนวนตัวแปลง D / A: | 5000 (Max) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 5 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | DS3503U+T&R |
| อินเตอร์เฟซ: | I²C |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | Digital Potentiometer 5k Ohm 2 Circuit 128 Taps I²C Interface 10-uMAX |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±20% |
| ลักษณะ: | IC POT DGTL NV 128TAP 10-MSOP |
| ติดต่อเสร็จสิ้น: | Potentiometer |
| แบนด์วิดธ์: | 5k |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DS3503U+T&R
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS