DME4S18K-F พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DME4S18K-F เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DME4S18K-F ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DME4S18K-F ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DME4S18K-F
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DME4S18K-F
- ผู้ผลิต:
- Cornell Dubilier Electronics
- ลักษณะ:
- CAP FILM 0.018UF 10% 400VDC RAD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34688 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DME4S18K-F.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - DC: | 200V |
| ความอดทน: | 0.018µF |
| การสิ้นสุด: | PC Pins |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | 0.295" (7.50mm) |
| ขนาด / มิติ: | 0.406" L x 0.173" W (10.30mm x 4.40mm) |
| ชุด: | DME |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | General Purpose |
| โพลาไรซ์: | Radial |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | DME4S18K-F |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | - |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.295" (7.50mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | 0.018µF ±10% Film Capacitor 200V 400V Polyester, Metallized Radial |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±10% |
| เส้นผ่าศูนย์กลางอิเล็กทริก: | Polyester, Metallized |
| ลักษณะ: | CAP FILM 0.018UF 10% 400VDC RAD |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล: | 400V |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DME4S18K-F
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?