CRCW08054R70JNEAHP พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CRCW08054R70JNEAHP เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CRCW08054R70JNEAHP ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CRCW08054R70JNEAHP ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CRCW08054R70JNEAHP
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CRCW08054R70JNEAHP
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- RES SMD 4.7 OHM 5% 1/2W 0805
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 32033 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CRCW08054R70JNEAHP.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.5W, 1/2W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 0805 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±200ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| ชุด: | CRCW-HP |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 0805 (2012 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 541-4.7TATR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 155°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 24 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | CRCW08054R70JNEAHP |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.020" (0.50mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 4.7 Ohm ±5% 0.5W, 1/2W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thick Film |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±5% |
| ลักษณะ: | RES SMD 4.7 OHM 5% 1/2W 0805 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Thick Film |
| แบนด์วิดธ์: | 4.7 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CRCW08054R70JNEAHP
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่