CA-301 50.2233M-K: PB FREE พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CA-301 50.2233M-K: PB FREE เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CA-301 50.2233M-K: PB FREE ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CA-301 50.2233M-K: PB FREE ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CA-301 50.2233M-K: PB FREE
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CA-301 50.2233M-K: PB FREE
- ผู้ผลิต:
- Epson
- ลักษณะ:
- CRYSTAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 44114 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | MHz Crystal |
| ขนาด / มิติ: | 0.122" Dia x 0.350" L (3.10mm x 8.90mm) |
| ชุด: | CA-301 |
| ความนิยม: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Cylindrical Can, Radial |
| ชื่ออื่น: | CA-301 50.2233M-K PB FREE CA-301 50.2233M-K: PB FREE-ND CA-30150.2233M-K:PBFREE |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -20°C ~ 70°C |
| โหมดการทำงาน: | 3rd Overtone |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| ความจุโหลด: | 10pF |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.350" (8.90mm) |
| ความอดทนความถี่: | ±30ppm |
| ความเสถียรของความถี่: | ±30ppm |
| ความถี่: | 50.2233MHz |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 80 Ohms |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 50.2233MHz ±30ppm Crystal 10pF 80 Ohms Cylindrical Can, Radial |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CA-301 50.2233M-K: PB FREE
ข่าว Latest
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว