BQ2002TPNG4 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BQ2002TPNG4 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BQ2002TPNG4 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BQ2002TPNG4 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BQ2002TPNG4
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BQ2002TPNG4
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC CONTROLLER FASTCHRGE 8-DIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 44031 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- BQ2002TPNG4.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การจัดหา (สูงสุด): | 6V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-PDIP |
| ชุด: | - |
| คุณสมบัติที่สามารถตั้งโปรแกรมได้: | Voltage |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ชื่ออื่น: | BQ2002TPNE4 BQ2002TPNE4-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| จำนวนของเซลล์: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินเตอร์เฟซ: | - |
| การป้องกันความผิดพลาด: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Charger IC Multi-Chemistry 8-PDIP |
| ปัจจุบัน - การชาร์จไฟ: | Constant, Pulsed |
| ชาร์จปัจจุบัน - แม็กซ์: | - |
| แรงดันไฟแบตเตอรี่: | 2V |
| แบตเตอรี่เคมี: | Multi-Chemistry |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | BQ2002 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BQ2002TPNG4
ข่าว Latest
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- Samsung: เผชิญกับความท้าทายของทั้งสองพื้นที่สำคัญระดมทุนเพื่อทำลายสถานการณ์
- Foundry Foundry ที่เป็นผู้ใหญ่ลดราคาอีกครั้ง Samsung เป็นอิสระจากหน่วยความจำ Nvidia HBM3E