AD711JRZ พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ AD711JRZ เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ AD711JRZ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ AD711JRZ ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
AD711JRZ
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- AD711JRZ
- ผู้ผลิต:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- ลักษณะ:
- IC OPAMP JFET 4MHZ 8SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34477 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- AD711JRZ.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | 4MHz |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท: | 15pA |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 8-SOIC |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| โพลาไรซ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ประเภทขาออก: | - |
| ปฐมนิเทศ: | 1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C |
| จำนวนบิต / ขั้นตอน: | 300µV |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| แม็กซ์กระแสไฟขาออกช่อง X @ โหลด: | J-FET |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 15 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | AD711JRZ |
| ขยายคำอธิบาย: | J-FET Amplifier 1 Circuit 8-SOIC |
| ลักษณะ: | IC OPAMP JFET 4MHZ 8SOIC |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (หลัก IC): | 9 V ~ 36 V, ±4.5 V ~ 18 V |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | 2.5mA |
| ช่องสัญญาณต่อ IC: | 25mA |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 20 V/µs |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ AD711JRZ
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU