504HBA-BBAF พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 504HBA-BBAF เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 504HBA-BBAF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 504HBA-BBAF ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
504HBA-BBAF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 504HBA-BBAF
- ผู้ผลิต:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- ลักษณะ:
- OSC PROG LVCMOS 1.7-3.6V EN/DS
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 56311 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 504HBA-BBAF.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.7 V ~ 3.6 V |
| ชนิด: | CMEMS® |
| Spread Spectrum แบนด์วิดธ์: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.157" L x 0.126" W (4.00mm x 3.20mm) |
| ชุด: | CMEMS® Si504 |
| ความนิยม: | - |
| ตั้งโปรแกรมประเภท: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SMD, No Lead |
| เอาท์พุต: | LVCMOS |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -20°C ~ 70°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง: | 0.035" (0.90mm) |
| ฟังก์ชัน: | Enable/Disable |
| ความเสถียรของความถี่ (รวม): | ±30ppm |
| ความเสถียรของความถี่: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | CMEMS® LVCMOS 32kHz ~ 100MHz Programmable Oscillator 1.7 V ~ 3.6 V Enable/Disable 4-SMD, No Lead |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 8.9mA |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (ปิดใช้งาน) (สูงสุด): | 1µA |
| ตัวสร้างเสียงฐาน: | MEMS |
| ช่วงความถี่: | 32kHz ~ 100MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 504HBA-BBAF
ข่าว Latest
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- Samsung: เผชิญกับความท้าทายของทั้งสองพื้นที่สำคัญระดมทุนเพื่อทำลายสถานการณ์
- Foundry Foundry ที่เป็นผู้ใหญ่ลดราคาอีกครั้ง Samsung เป็นอิสระจากหน่วยความจำ Nvidia HBM3E