380LQ122M200K032 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 380LQ122M200K032 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 380LQ122M200K032 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 380LQ122M200K032 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
380LQ122M200K032
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 380LQ122M200K032
- ผู้ผลิต:
- Cornell Dubilier Electronics
- ลักษณะ:
- CAP ALUM 1200UF 20% 200V SNAP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 31834 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 380LQ122M200K032.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | 1200µF |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | 0.394" (10.00mm) |
| ขนาด / มิติ: | 1.181" Dia (30.00mm) |
| ชุด: | 380LQ |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | General Purpose |
| ระลอกปัจจุบัน: | Polar |
| โพลาไรซ์: | Radial, Can - Snap-In |
| ทางลาด - เชื่อมต่อ: | 200V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | - |
| ชื่ออื่น: | 338-3515 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนตัวเก็บประจุ: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 21 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | 380LQ122M200K032 |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | - |
| ความต้านทาน: | - |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 1.457" (37.00mm) |
| ขยายคำอธิบาย: | 1200µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±20% |
| ลักษณะ: | CAP ALUM 1200UF 20% 200V SNAP |
| การประยุกต์ใช้งาน: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 380LQ122M200K032
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง