2SA1618-GR(TE85L,F พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 2SA1618-GR(TE85L,F เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 2SA1618-GR(TE85L,F ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 2SA1618-GR(TE85L,F ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
2SA1618-GR(TE85L,F
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 2SA1618-GR(TE85L,F
- ลักษณะ:
- TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 31738 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 2SA1618-GR(TE85L,F.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 150mA |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | SMV |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 50V |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม): | 80MHz |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 300mW |
| โพลาไรซ์: | SC-74A, SOT-753 |
| ชื่ออื่น: | 2SA1618-GR(TE85L,F) 2SA1618-GR(TE85LF)TR 2SA1618-GR(TE85LF)TR-ND 2SA1618-GR(TE85LFTR 2SA1618-GRTE85LF 2SA1618GR(TE85LFTR 2SA1618GR(TE85LFTR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 125°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | 2SA1618-GR(TE85L,F |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 200 @ 2mA, 6V |
| ขยายคำอธิบาย: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SMV |
| ลักษณะ: | TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 100nA (ICBO) |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 300mV @ 10mA, 100mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 2SA1618-GR(TE85L,F
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS