CK45-B3FD331KYNNA теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для CK45-B3FD331KYNNA, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для CK45-B3FD331KYNNA по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить CK45-B3FD331KYNNA с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
CK45-B3FD331KYNNA
- Тип продуктов:
- CK45-B3FD331KYNNA
- производитель:
- TDK Corporation
- Описание:
- CAP CER 330PF 3KV RADIAL
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 56318 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- 1.CK45-B3FD331KYNNA.pdf2.CK45-B3FD331KYNNA.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Номинальное напряжение - AC: | - |
| Напряжение - Номинальный: | 3000V (3kV) |
| Толерантность: | 330pF |
| Толщина (макс): | B |
| Surface Mount Размер земли: | 0.295" (7.50mm) |
| Размер / Dimension: | 0.256" Dia (6.50mm) |
| Серии: | CK45 |
| Статус RoHS: | Bulk |
| Пульсирующий ток - Низкая частота: | General Purpose |
| Рейтинги: | - |
| поляризация: | Radial, Disc |
| Другие названия: | CK45B3FD331KYNNA |
| Рабочая Температура: | -25°C ~ 105°C |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 18 Weeks |
| Номер детали производителя: | CK45-B3FD331KYNNA |
| Ведущий стиль: | - |
| Высота - Сидящая (Макс): | 0.413" (10.50mm) |
| Особенности: | High Voltage |
| Интенсивность отказов: | Straight |
| Расширенное описание: | 330pF ±10% 3000V (3kV) Ceramic Capacitor B Radial, Disc |
| ESR (эквивалентное последовательное сопротивление): | ±10% |
| Описание: | CAP CER 330PF 3KV RADIAL |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для CK45-B3FD331KYNNA
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки