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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFN32N80P
IXFN32N80P
IXFN32N80P
Modelo do Produto:
IXFN32N80P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
34682 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXFN32N80P.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Teste:8820pF @ 25V
Tensão - Breakdown:SOT-227B
VGS (th) (Max) @ Id:270 mOhm @ 16A, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:PolarHV™
Status de RoHS:Tube
RDS ON (Max) @ Id, VGS:29A
Polarização:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFN32N80P
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:150nC @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 8mA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 800V 29A 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:800V
Rácio de capacitância:625W (Tc)
Email:[email protected]

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