DEF2CLH080DA3B está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para DEF2CLH080DA3B, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para DEF2CLH080DA3B por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre DEF2CLH080DA3B com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
DEF2CLH080DA3B
- Modelo do Produto:
- DEF2CLH080DA3B
- Fabricante:
- Murata Electronics
- Descrição:
- CAP CER 8PF 6.3KV C0H RADIAL
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 45329 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- DEF2CLH080DA3B.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - M: | 6300V (6.3kV) |
| Tolerância: | 8pF |
| Espessura (Max): | C0H |
| Superfície Tamanho Mount Terra: | 0.295" (7.50mm) |
| Tamanho / Dimensão: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| Série: | DEF |
| Status de RoHS: | Bulk |
| Corrente de Ondulação - Baixa Frequência: | General Purpose |
| classificações: | - |
| Polarização: | Radial, Disc |
| Temperatura de operação: | -25°C ~ 105°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 11 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DEF2CLH080DA3B |
| Estilo de chumbo: | - |
| Altura - Sentado (Max): | 0.472" (12.00mm) |
| Características: | High Voltage |
| Taxa de falha: | Straight |
| Descrição expandida: | 8pF ±0.5pF 6300V (6.3kV) Ceramic Capacitor C0H Radial, Disc |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±0.5pF |
| Descrição: | CAP CER 8PF 6.3KV C0H RADIAL |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para DEF2CLH080DA3B
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash