CSNL2512FTKL00 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para CSNL2512FTKL00, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para CSNL2512FTKL00 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre CSNL2512FTKL00 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
CSNL2512FTKL00
- Modelo do Produto:
- CSNL2512FTKL00
- Fabricante:
- Stackpole Electronics, Inc.
- Descrição:
- RES SMD 0.001 OHM 1% 2W 2512
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 27705 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.CSNL2512FTKL00.pdf2.CSNL2512FTKL00.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Regime de tensão - AC: | - |
| Tensão - Trabalho: | 2W |
| Tensão - Breakdown: | 2512 |
| Espessura (Max): | ±50ppm/°C |
| Tamanho / Dimensão: | 0.250" L x 0.125" W (6.35mm x 3.18mm) |
| Série: | CSNL |
| Status de RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polarização: | 2512 (6432 Metric) |
| Outros nomes: | CSNL 2 0.001 1% I CSNL20.0011%I CSNL20.0011%I-ND CSNL20.001FI CSNL20.001FI-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 170°C |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 11 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | CSNL2512FTKL00 |
| Altura - Sentado (Max): | 0.057" (1.45mm) |
| Características: | Current Sense, Moisture Resistant |
| FIFO: | 2 |
| Descrição expandida: | 0.001 Ohm ±1% 2W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Current Sense, Moisture Resistant Metal Foil |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±1% |
| Descrição: | RES SMD 0.001 OHM 1% 2W 2512 |
| Revestimento, tipo de habitação: | Metal Foil |
| Bandwidth: | 0.001 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para CSNL2512FTKL00
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash