V40PW45C-M3/I jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla V40PW45C-M3/I, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla V40PW45C-M3/I przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup V40PW45C-M3/I z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
V40PW45C-M3/I
- Part Number:
- V40PW45C-M3/I
- Producent:
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53341 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- V40PW45C-M3/I.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Schottky |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1 Pair Common Cathode |
| Napięcie - Podział: | SlimDPAK |
| Prędkość: | 20A |
| Seria: | eSMP®, TMBS® |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polaryzacja: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Inne nazwy: | V40PW45C-M3/IGITR |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Numer części producenta: | V40PW45C-M3/I |
| Rozszerzony opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 20A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Diode Configuration: | 1.2mA @ 45V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 640mV @ 20A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 45V |
| Pojemność @ VR F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do V40PW45C-M3/I
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC