T720083504DN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla T720083504DN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla T720083504DN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup T720083504DN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
T720083504DN
- Part Number:
- T720083504DN
- Producent:
- Powerex, Inc.
- Opis:
- SCR PHASE CTRL MOD 800V 350A
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44304 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- T720083504DN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 800V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 3V |
| Struktura: | Single |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-200AC, B-PUK |
| temperatura robocza: | - |
| Ilość SCR, diody: | 1 SCR |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SCR Module 800V Single Chassis Mount TO-200AC, B-PUK |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 350A |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | - |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do T720083504DN
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025