SI1021R-T1-E3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SI1021R-T1-E3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SI1021R-T1-E3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SI1021R-T1-E3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SI1021R-T1-E3
- Part Number:
- SI1021R-T1-E3
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35470 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SI1021R-T1-E3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SC-75A |
| Seria: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Strata mocy (max): | 250mW (Ta) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-75A |
| Inne nazwy: | SI1021R-T1-E3TR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 23pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 1.7nC @ 15V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 60V |
| szczegółowy opis: | P-Channel 60V 190mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 190mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SI1021R-T1-E3
Latest Aktualności
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025
- Toshiba uruchamia IC Stern Series Series Series z wbudowanym mikrokontrolerem
- Samsung: Przejdź przed wyzwaniem dwóch głównych obszarów, zebraj fundusze na złamanie sytuacji
- Dojrzała odlewnia marży ponownie obniża cenę, Samsung jest niezależny od pamięci NVIDIA HBM3E