RS80E122MDN1JT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RS80E122MDN1JT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RS80E122MDN1JT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RS80E122MDN1JT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RS80E122MDN1JT
- Part Number:
- RS80E122MDN1JT
- Producent:
- Nichicon
- Opis:
- CAP ALUM POLY 1200UF 2.5V TH
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26428 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.RS80E122MDN1JT.pdf2.RS80E122MDN1JT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 2.5V |
| Rodzaj: | Polymer |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.248" Dia (6.30mm) |
| Seria: | FPCAP, RS8 |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 560mA @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 5.6A @ 100kHz |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | Radial, Can |
| Inne nazwy: | 493-6662-1 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Główny odstęp: | 0.098" (2.50mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.354" (9.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 7 mOhm |
| szczegółowy opis: | 1200µF 2.5V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 7 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| Pojemność: | 1200µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RS80E122MDN1JT
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025