MC9S08QG44CFKE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla MC9S08QG44CFKE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla MC9S08QG44CFKE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup MC9S08QG44CFKE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
MC9S08QG44CFKE
- Part Number:
- MC9S08QG44CFKE
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC MCU 8BIT 4KB FLASH 24QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57087 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- MC9S08QG44CFKE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 24-QFN-EP (4x4) |
| Prędkość: | 20MHz |
| Seria: | S08 |
| Wielkość pamięci RAM: | 256 x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 4KB (4K x 8) |
| Peryferia: | LVD, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 24-VFQFN Exposed Pad |
| Typ oscylatora: | Internal |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 12 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | S08 S08 Microcontroller IC 8-Bit 20MHz 4KB (4K x 8) FLASH 24-QFN-EP (4x4) |
| Konwertery danych: | A/D 8x10b |
| rdzeń Rozmiar: | 8-Bit |
| Core Processor: | S08 |
| Łączność: | I²C, SCI, SPI |
| Podstawowy numer części: | MC9S08QG44 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MC9S08QG44CFKE
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny