LLA185C70G104MA01L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LLA185C70G104MA01L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LLA185C70G104MA01L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LLA185C70G104MA01L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LLA185C70G104MA01L
- Part Number:
- LLA185C70G104MA01L
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CAP CER 0.1UF 4V X7S 0603
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36941 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 4V |
| Tolerancja: | 0.1µF |
| Grubość (maks): | X7S |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Seria: | LLA |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | Bypass, Decoupling |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 0603 (1608 Metric) |
| Inne nazwy: | 490-8380-2 LLA185C70G104MA01L-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Numer części producenta: | LLA185C70G104MA01L |
| Lead Style: | 0.022" (0.55mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Low ESL (Multi-Terminal) |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| Rozszerzony opis: | 0.1µF ±20% 4V Ceramic Capacitor X7S 0603 (1608 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Opis: | CAP CER 0.1UF 4V X7S 0603 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LLA185C70G104MA01L
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash