LD056D106KAB2A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LD056D106KAB2A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LD056D106KAB2A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LD056D106KAB2A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LD056D106KAB2A
- Part Number:
- LD056D106KAB2A
- Producent:
- AVX Corporation
- Opis:
- CAP CER 10UF 6.3V X5R 0805
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 49107 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LD056D106KAB2A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - znamionowe: | 6.3V |
| Tolerancja: | 10µF |
| Grubość (maks): | X5R |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.049" W (2.01mm x 1.25mm) |
| Seria: | LD |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | General Purpose |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 0805 (2012 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Numer części producenta: | LD056D106KAB2A |
| Lead Style: | 0.037" (0.94mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| Rozszerzony opis: | 10µF ±10% 6.3V Ceramic Capacitor X5R 0805 (2012 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±10% |
| Opis: | CAP CER 10UF 6.3V X5R 0805 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LD056D106KAB2A
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny