LCMXO640E-3M100C jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla LCMXO640E-3M100C, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla LCMXO640E-3M100C przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup LCMXO640E-3M100C z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
LCMXO640E-3M100C
- Part Number:
- LCMXO640E-3M100C
- Producent:
- Lattice Semiconductor
- Opis:
- IC FPGA 74 I/O 100CSBGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 50774 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- LCMXO640E-3M100C.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.14 V ~ 1.26 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 100-CSBGA (8x8) |
| Seria: | MachXO |
| Package / Case: | 100-LFBGA, CSPBGA |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 85°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 640 |
| Ilość Labs / CLBs: | 80 |
| Liczba I / O: | 74 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Podstawowy numer części: | LCMXO640 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do LCMXO640E-3M100C
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU