JAN1N2821RB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla JAN1N2821RB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla JAN1N2821RB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup JAN1N2821RB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
JAN1N2821RB
- Part Number:
- JAN1N2821RB
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE ZENER 25V 5W TO204AD
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 43385 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- JAN1N2821RB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Izolacja: | 2.7 Ohm |
| Napięcie - Podział: | TO-204AD (TO-3) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/114 |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Moc - Max: | 5W |
| Polaryzacja: | TO-204AD |
| Inne nazwy: | 1086-1995 1086-1995-MIL |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | JAN1N2821RB |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 25V |
| Rozszerzony opis: | Zener Diode 5W ±5% Through Hole TO-204AD (TO-3) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Diode Configuration: | 10µA @ 19V |
| Opis: | DIODE ZENER 25V 5W TO204AD |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.5V @ 10A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JAN1N2821RB
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny