IKW30N60H3FKSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla IKW30N60H3FKSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla IKW30N60H3FKSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup IKW30N60H3FKSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
IKW30N60H3FKSA1
- Part Number:
- IKW30N60H3FKSA1
- Opis:
- IGBT 600V 60A 187W TO247-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41824 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- IKW30N60H3FKSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Przesunięcie (VT): | 400V, 30A, 10.5 Ohm, 15V |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 60A |
| Napięcie - Podział: | PG-TO247-3 |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | Trench Field Stop |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 600V |
| Stan testu: | 21ns/207ns |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 165nC |
| Przełączanie Energy: | 120A |
| Seria: | TrenchStop® |
| Stan RoHS: | Tube |
| Moc - Max: | 187W |
| Polaryzacja: | TO-247-3 |
| Inne nazwy: | IKW30N60H3 IKW30N60H3-ND SP000703042 |
| Temperatura pracy - złącze: | 38ns |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Numer części producenta: | IKW30N60H3FKSA1 |
| Typ wejścia: | Standard |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 2.4V @ 15V, 30A |
| brama Charge: | 1.38mJ |
| Rozszerzony opis: | IGBT Trench Field Stop 600V 60A 187W Through Hole PG-TO247-3 |
| Opis: | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IKW30N60H3FKSA1
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025