GRM32ER6YA106MA12L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla GRM32ER6YA106MA12L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla GRM32ER6YA106MA12L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup GRM32ER6YA106MA12L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
GRM32ER6YA106MA12L
- Part Number:
- GRM32ER6YA106MA12L
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- CAP CER 10UF 35V X5R 1210
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41074 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.GRM32ER6YA106MA12L.pdf2.GRM32ER6YA106MA12L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 35V |
| Tolerancja: | 10µF |
| Grubość (maks): | X5R |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Seria: | GRM |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | General Purpose |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 1210 (3225 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Numer części producenta: | GRM32ER6YA106MA12L |
| Lead Style: | 0.106" (2.70mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| Rozszerzony opis: | 10µF ±20% 35V Ceramic Capacitor X5R 1210 (3225 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Opis: | CAP CER 10UF 35V X5R 1210 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GRM32ER6YA106MA12L
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash