EP4S40G5H40I1N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EP4S40G5H40I1N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EP4S40G5H40I1N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EP4S40G5H40I1N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EP4S40G5H40I1N
- Part Number:
- EP4S40G5H40I1N
- Opis:
- IC FPGA 654 I/O 1517HBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39978 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 0.92 V ~ 0.98 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 28033024 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1517-HBGA (42.5x42.5) |
| Seria: | STRATIX® IV GT |
| Package / Case: | 1517-BBGA, FCBGA |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 100°C (TJ) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 531200 |
| Ilość Labs / CLBs: | 21248 |
| Liczba I / O: | 654 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Podstawowy numer części: | EP4S40G5 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EP4S40G5H40I1N
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia