EC103D1,412 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla EC103D1,412, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla EC103D1,412 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup EC103D1,412 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
EC103D1,412
- Part Number:
- EC103D1,412
- Producent:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Opis:
- THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30676 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- EC103D1,412.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Na członkowskim (VTM) (max): | 12µA |
| Napięcie - Podział: | TO-92-3 |
| Seria: | - |
| Rodzaj SCR: | 8A, 9A |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| Polaryzacja: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Inne nazwy: | 1740-1183-6 |
| temperatura robocza: | - |
| Ilość SCR, diody: | Sensitive Gate |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | EC103D1,412 |
| Rozszerzony opis: | SCR 400V 800mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3 |
| Opis: | THYRISTOR GATE 400V 0.8A TO92 |
| Obecny - Trip (It): | 5mA |
| Prąd - szczytowa impuls (8 / 20μs): | 400V |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 500mA |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 1.35V |
| Obecny - Off State (max): | 800mA |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 100µA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 800mV |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do EC103D1,412
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny