DR73-1R0-R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla DR73-1R0-R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla DR73-1R0-R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup DR73-1R0-R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
DR73-1R0-R
- Part Number:
- DR73-1R0-R
- Producent:
- Bussmann (Eaton)
- Opis:
- FIXED IND 1UH 5.28A 10.2 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40715 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- DR73-1R0-R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.299" L x 0.299" W (7.60mm x 7.60mm) |
| Zastawianie: | Shielded |
| Seria: | DR |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 513-1130-2 DR73-1R0 DR73-1R0-ND DR731R0R |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100kHz |
| Indukcyjność: | 1µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.140" (3.55mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 1µH Shielded Wirewound Inductor 5.28A 10.2 mOhm Nonstandard |
| DC Resistance (DCR): | 10.2 mOhm |
| Aktualna ocena: | 5.28A |
| Obecny - Nasycenie: | 7.97A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do DR73-1R0-R
Latest Aktualności
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025
- Toshiba uruchamia IC Stern Series Series Series z wbudowanym mikrokontrolerem
- Samsung: Przejdź przed wyzwaniem dwóch głównych obszarów, zebraj fundusze na złamanie sytuacji
- Dojrzała odlewnia marży ponownie obniża cenę, Samsung jest niezależny od pamięci NVIDIA HBM3E