BZT52C39-HE3-18 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BZT52C39-HE3-18, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BZT52C39-HE3-18 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BZT52C39-HE3-18 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BZT52C39-HE3-18
- Part Number:
- BZT52C39-HE3-18
- Producent:
- Opis:
- DIODE ZENER 39V 410MW SOD123
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55867 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BZT52C39-HE3-18.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Izolacja: | 50 Ohm |
| Napięcie - Podział: | SOD-123 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Moc - Max: | 410mW |
| Polaryzacja: | SOD-123 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Numer części producenta: | BZT52C39-HE3-18 |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 39V |
| Rozszerzony opis: | Zener Diode 410mW ±5% Surface Mount SOD-123 |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Diode Configuration: | 100nA @ 29V |
| Opis: | DIODE ZENER 39V 410MW SOD123 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BZT52C39-HE3-18
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025