BLM02PX220SN1D jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BLM02PX220SN1D, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BLM02PX220SN1D przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BLM02PX220SN1D z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BLM02PX220SN1D
- Part Number:
- BLM02PX220SN1D
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FERRITE BEAD 22 OHM 01005 1LN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50730 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.BLM02PX220SN1D.pdf2.BLM02PX220SN1D.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
| Seria: | BLM |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 01005 (0402 Metric) |
| Inne nazwy: | 490-14879-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Numer części producenta: | BLM02PX220SN1D |
| Indukcyjność @ Częstotliwość: | 22 Ohm @ 100MHz |
| Wysokość (max): | 0.009" (0.22mm) |
| Bezpiecznik: | Signal Line |
| filtr Kolejność: | 110 mOhm |
| Opis: | FERRITE BEAD 22 OHM 01005 1LN |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 750mA |
| Długość kabla - Nienaświetlona: | 1 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BLM02PX220SN1D
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash