1111J2K03P90HQT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1111J2K03P90HQT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1111J2K03P90HQT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1111J2K03P90HQT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1111J2K03P90HQT
- Part Number:
- 1111J2K03P90HQT
- Producent:
- Knowles Syfer
- Opis:
- CAP CER 3.9PF 2000V C0G/NP0 1111
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54971 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1111J2K03P90HQT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - znamionowe: | 2000V (2kV) |
| Tolerancja: | 3.9pF |
| Grubość (maks): | C0G, NP0 |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | General Purpose |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 1111 (2828 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Numer części producenta: | 1111J2K03P90HQT |
| Lead Style: | 0.070" (1.78mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Epoxy Mountable, High Q, Low Loss |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| Rozszerzony opis: | 3.9pF ±0.05pF 2000V (2kV) Ceramic Capacitor C0G, NP0 1111 (2828 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±0.05pF |
| Opis: | CAP CER 3.9PF 2000V C0G/NP0 1111 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1111J2K03P90HQT
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash