RN4981,LF(CT
RN4981,LF(CT
제품 모델:
RN4981,LF(CT
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
54713 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
RN4981,LF(CT.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):100mA
전압 - 파괴:US6
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):50V
연속:-
RoHS 상태:Tape & Reel (TR)
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴):4.7k
저항기 -베이스 (R1) (옴):250MHz, 200MHz
전력 - 최대:200mW
편광:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
다른 이름들:RN4981(T5L,F,T)
RN4981(T5LFT)TR
RN4981(T5LFT)TR-ND
RN4981LF(CTTR
RN4981T5LFT
잡음 지수 (f에서 dB Typ):4.7k
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:RN4981,LF(CT
주파수 - 전환:30 @ 10mA, 5V
확장 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
기술:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:100µA (ICBO)
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Email:[email protected]

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