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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 100mA |
전압 - 파괴: | US6 |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 50V |
연속: | - |
RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴): | 4.7k |
저항기 -베이스 (R1) (옴): | 250MHz, 200MHz |
전력 - 최대: | 200mW |
편광: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
다른 이름들: | RN4981(T5L,F,T) RN4981(T5LFT)TR RN4981(T5LFT)TR-ND RN4981LF(CTTR RN4981T5LFT |
잡음 지수 (f에서 dB Typ): | 4.7k |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | RN4981,LF(CT |
주파수 - 전환: | 30 @ 10mA, 5V |
확장 설명: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6 |
기술: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 100µA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 300mV @ 250µA, 5mA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Email: | [email protected] |