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| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 180µA |
| Vgs (최대): | ±20V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | PG-TO-220-3 |
| 연속: | OptiMOS™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 7 mOhm @ 80A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 250W (Tc) |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | TO-220-3 |
| 다른 이름들: | IPP070N06N G-ND IPP070N06NG IPP070N06NGIN IPP070N06NGXK SP000204186 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형: | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 4100pF @ 30V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 60V |
| 상세 설명: | N-Channel 60V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |