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IDH08G65C5XKSA1
- 제품 모델:
- IDH08G65C5XKSA1
- 기술:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 23958 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- IDH08G65C5XKSA1.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 전압 - 피크 역 (최대): | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우: | 8A (DC) |
| 전압 - 파괴: | PG-TO220-2 |
| 연속: | thinQ!™ |
| RoHS 상태: | Tube |
| 역 회복 시간 (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 만약, F @ 저항: | 250pF @ 1V, 1MHz |
| 편광: | TO-220-2 |
| 다른 이름들: | IDH08G65C5 IDH08G65C5-ND SP000925204 |
| 작동 온도 - 정션: | 0ns |
| 실장 형: | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호: | IDH08G65C5XKSA1 |
| 확장 설명: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
| 다이오드 구성: | 280µA @ 650V |
| 기술: | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2 |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향: | 1.7V @ 8A |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당): | 650V |
| VR, F @ 용량: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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