FDP120N10
제품 모델:
FDP120N10
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 100V 74A TO-220
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
44935 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
1.FDP120N10.pdf2.FDP120N10.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
아이디 @ VGS (일) (최대):4.5V @ 250µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-220-3
연속:PowerTrench®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):12 mOhm @ 74A, 10V
전력 소비 (최대):170W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-220-3
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:11 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:5605pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:86nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):100V
상세 설명:N-Channel 100V 74A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):74A (Tc)
Email:[email protected]

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