71V65603S133BQ은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 71V65603S133BQ의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 71V65603S133BQ에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 71V65603S133BQ을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].
71V65603S133BQ
- 제품 모델:
- 71V65603S133BQ
- 기술:
- IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
- 무연 상태:
- 납 함유 / RoHS 비 준수
- 재고 수량:
- 43698 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- 71V65603S133BQ.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | - |
| 전압 - 공급: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 과학 기술: | SRAM - Synchronous ZBT |
| 제조업체 장치 패키지: | 165-CABGA (13x15) |
| 연속: | - |
| 포장: | Tray |
| 패키지 / 케이스: | 165-TBGA |
| 다른 이름들: | IDT71V65603S133BQ IDT71V65603S133BQ-ND |
| 작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 크기: | 9Mb (256K x 36) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 10 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 상세 설명: | SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 165-CABGA (13x15) |
| 클럭 주파수: | 133MHz |
| 기본 부품 번호: | IDT71V65603 |
| 액세스 시간: | 4.2ns |
| Email: | [email protected] |
71V65603S133BQ에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- 로컬 성숙한 칩 볼륨, 삼성 NAND 플래시 메모리 생산 용량 근처 부하
- Vishay는 최소 포장을 발사합니다. 높은 밝기 작은 파란색과 순수한 녹색 LED
- Ansonmei는 산업 및 운송 시장을위한 유도 포지션 센서를 시작했습니다.
- Ruisa는 전력 장치를 늘리기 위해 오래된 공장을 시작하고 지진은 DRAM 출력에 영향을 미칩니다.
- 마이크로 칩은 TSMC의 생산 능력을 가능하게하고 가격 인상
- Ruisa는 새로운 RA0 시리즈 Ultra -Low Power Entry -Level MCU를 출시했습니다.
- Melexis는 완전 통합 인덕터 스위치 칩을 출시합니다
- X-Fab
- 대형 칩 공장은 지진의 영향을 받았습니다. TSMC는 긴급하게 작업을 중단하여 GPU 공급이 부족한 공급을 악화 시켰습니까?
- NAND 플래시 메모리가 계속되고 MCU Destocking Bottom이 맞습니다.
- AI Air Outlet에서, 두 개의 주요 칩 거인은 "강력하지 않다": 게임을 깨기 위해 돈을 부수고 2025 팀 전투에 베팅