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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1.8V @ 108µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-SOT223-4 |
シリーズ: | SIPMOS® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
電力消費(最大): | 1.8W (Ta) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
他の名前: | BSP89L6327 BSP89L6327HTSA1CT BSP89L6327INCT BSP89L6327INCT-ND |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 140pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 6.4nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 240V |
詳細な説明: | N-Channel 240V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 350mA (Ta) |
Email: | [email protected] |