STD17NF03L-1 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per STD17NF03L-1, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per STD17NF03L-1 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista STD17NF03L-1 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
STD17NF03L-1
- Modello di prodotti:
- STD17NF03L-1
- fabbricante:
- STMicroelectronics
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 17A IPAK
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 44494 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- STD17NF03L-1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Prova: | 320pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | I-Pak |
| Vgs (th) (max) a Id: | 50 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 5V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | STripFET™ II |
| Stato RoHS: | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 17A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | 497-15726-5 STD17NF03L-1-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | STD17NF03L-1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6.5nC @ 5V |
| Tipo IGBT: | ±16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.2V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 17A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 17A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30V |
| rapporto di capacità: | 30W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per STD17NF03L-1
Latest Notizie
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro