SIT8008BCB3-30E è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per SIT8008BCB3-30E, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per SIT8008BCB3-30E via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista SIT8008BCB3-30E con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
SIT8008BCB3-30E
- Modello di prodotti:
- SIT8008BCB3-30E
- fabbricante:
- SiTime
- Descrizione:
- OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM EN/DS
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 21978 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 3V |
| Digitare: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum larghezza di banda: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| Serie: | SiT8008B |
| Giudizi: | - |
| Tipo programmabile: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 4-SMD, No Lead |
| Produzione: | LVCMOS |
| temperatura di esercizio: | -20°C ~ 70°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altezza: | 0.031" (0.79mm) |
| Funzione: | Enable/Disable |
| Stabilità di frequenza (Totale): | ±20ppm |
| stabilità di frequenza: | - |
| Descrizione dettagliata: | XO (Standard) LVCMOS 1MHz ~ 110MHz Programmable Oscillator 3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead |
| Corrente - Alimentazione (max): | 4.5mA |
| Corrente - Alimentazione (Disabilita) (max): | 4.2mA |
| Base Resonator: | MEMS |
| Disponibile Gamma di frequenza: | 1MHz ~ 110MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SIT8008BCB3-30E
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
SIT8008BCB3-XXN | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.25-3.63V SMD | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-33E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS SMD | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-18S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM STBY | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-28N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM SMD | Inchiesta |
 |
SIT8008BCB23-33E-75.000000E | SiTime | OSC MEMS 75.0000MHZ LVCMOS SMD | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-25E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V EN/DS SMD | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-XXS | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V STBY | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-33N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-30N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-XXE | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5-3.3V EN/DS | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-28S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V 20PPM STBY | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-25N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-30S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3V 20PPM STBY | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-28E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.8V EN/DS SMD | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-33S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 3.3V 20PPM STBY | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-25S | SiTime | OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM STBY | Inchiesta |
 |
SIT8008BCB7-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT8008BCB3-18N | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V 20PPM SMD | Inchiesta |
|
SIT8008BCB7-18E | SiTime | OSC PROG LVCMOS 1.8V EN/DS SMD | Inchiesta |
Latest Notizie
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione
- Sotto il punto aereo dell'IA, i due principali giganti dei chip non sono "forti": distruggere i soldi per rompere la partita, scommettere sulle battaglie della squadra del 2025
- Toshiba lancia il driver del gate della serie SmartMCD IC con microcontrollore incorporato
- Samsung: affrontare la sfida delle due aree principali, raccogliere fondi per rompere la situazione
- La fonderia del margine maturo riduce nuovamente il prezzo, Samsung è indipendente dalla memoria Nvidia hbm3e