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JAN1N6625
- Modello di prodotti:
- JAN1N6625
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 37979 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JAN1N6625.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Picco inversa (max): | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1A |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| Stato RoHS: | Bulk |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistenza a If, F: | - |
| Polarizzazione: | A, Axial |
| Altri nomi: | 1086-19974 1086-19974-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 30ns |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | JAN1N6625 |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole |
| Configurazione diodo: | 1µA @ 1000V |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1.75V @ 1A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 1000V (1kV) |
| Capacità a Vr, F: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JAN1N6625
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N6627 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N6626U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N6623 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N6627US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B | Inchiesta |
|
JAN1N6623US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N6622U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N6626US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B | Inchiesta |
|
JAN1N6622US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 660V 2A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N6624US | Microsemi | DIODE GEN PURP 990V 1A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N6621US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 2A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N6627U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N6624 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N6623U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N6628U | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N6622 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N6625US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | Inchiesta |
|
JAN1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N6628 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N6624U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF | Inchiesta |
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